Cel kształcenia i wykaz literatury

Główny cel kształcenia: Osiągnięcie rozszerzonej wiedzy z zakresu szczegółowych zagadnień badawczych elektroniki i telekomunikacji.

Ogólne informacje o zajęciach: Wprowadzenie do zaawansowanego procesu badań i rozwoju w dziedzinie elektroniki i telekomunikacji.

Materiały dydaktyczne: Strony www Katedr/Zakładów i pracowników prowadzących poszczególne wykłady modułu.

Wykaz literatury, wymaganej do zaliczenia zajęć

Literatura wykorzystywana podczas zajęć wykładowych

1	Biblioteka Główna Politechniki Rzeszowskiej	Dostępne zasoby	http://biblio.portal.prz.edu.pl/.	-
2	Jankowski-Mihułowicz P., Mączka M., Tabisz R., Klepacki D., Szpytma A., Sabat W., Dorozhovets M.	Publikacje naukowe pracowników PRz	-.	-

Literatura do samodzielnego studiowania

1

Literatura wykorzystywana podczas zajęć wykładowych

Dostępne zasoby

-.

-

Wymagania wstępne w kategorii wiedzy/umiejętności/kompetencji społecznych

Wymagania formalne: Rejestracja na 3 semestr studiów magisterskich.

Wymagania wstępne w kategorii Wiedzy: Rozumienie istoty procesu prowadzenia badań i rozwoju w dziedzinie elektroniki i telekomunikacji.

Wymagania wstępne w kategorii Umiejętności: Umiejętność zastosowania w praktyce zagadnień teoretycznych z elektroniki i telekomunikacji.

Wymagania wstępne w kategorii Kompetencji społecznych: Zdolność do pracy indywidualnej i zespołowej.

Efekty kształcenia dla zajęć

MEK	Student, który zaliczył zajęcia	Formy zajęć/metody dydaktyczne prowadzące do osiągnięcia danego efektu kształcenia	Metody weryfikacji każdego z wymienionych efektów kształcenia	Związki z KEK	Związki z PRK
01	rozumie potrzebę realizacji zaawansowanych procesów badawczo-rozwojowych w obszarze elektroniki i telekomunikacji	wykład	interakcja podczas wykładów	K_W03+++ K_W13++ K_U01++ K_K05+++	P7S_KK P7S_UU P7S_WG
02	rozumie zjawisko synergii pomiędzy nauką i gospodarką	wykład	interakcja podczas wykładów	K_W03+++ K_W13+ K_U01+++ K_K05+++	P7S_KK P7S_UU P7S_WG

Uwaga: W zależności od sytuacji epidemicznej, jeżeli nie będzie możliwości weryfikacji osiągniętych efektów uczenia się określonych w programie studiów w sposób stacjonarny w szczególności zaliczenia i egzaminy kończące określone zajęcia będą mogły się odbywać przy użyciu środków komunikacji elektronicznej (w sposób zdalny).

Treści kształcenia dla zajęć

Sem.	TK	Treści kształcenia	Realizowane na	MEK
3	TK01	Wybrane zagadnienia badawcze PRz w obszarze techniki radiowej identyfikacji obiektów (RFID)	W02	MEK01 MEK02
3	TK02	Kwantowe przyrządy półprzewodnikowe – właściwości i zastosowania	W02	MEK01
3	TK03	Walidacja przemysłowych procesów pomiarowych	W02	MEK01 MEK02
3	TK04	Wybrane aspekty EMC w elektronicznym sprzęcie lotniczym	W02	MEK01 MEK02
3	TK05	Nowoczesne elementy elektroniczne dużej mocy	W02	MEK01
3	TK06	Teoretyczne i praktyczne aspekty wykorzystania analizatora widma w praktyce inżynierskiej	W02	MEK01 MEK02
3	TK07	Podstawowe zasady i problemy oceny niepewności wyników pomiaru. Praktyczne oszacowanie niepewności wyników pomiaru	W03	MEK01

Nakład pracy studenta

Forma zajęć	Praca przed zajęciami	Udział w zajęciach	Praca po zajęciach
Wykład (sem. 3)		Godziny kontaktowe: 15.00 godz./sem.	Uzupełnienie/studiowanie notatek: 10.00 godz./sem. Studiowanie zalecanej literatury: 25.00 godz./sem.
Konsultacje (sem. 3)	Przygotowanie do konsultacji: 3.00 godz./sem.	Udział w konsultacjach: 2.00 godz./sem.
Zaliczenie (sem. 3)

Sposób wystawiania ocen składowych zajęć i oceny końcowej

Forma zajęć	Sposób wystawiania oceny podsumowującej
Wykład	Obecność na wykładach
Ocena końcowa	100-90% - 5,0; 90-80% - 4,5; 80-70% - 4,0; 70-60% - 3,5; 60-50% - 3,0

Przykładowe zadania

Wymagane podczas egzaminu/zaliczenia
(-)

Realizowane podczas zajęć ćwiczeniowych/laboratoryjnych/projektowych
(-)

Inne
(-)

Czy podczas egzaminu/zaliczenia student ma możliwość korzystania z materiałów pomocniczych : nie

Treści zajęć powiazane są z prowadzonymi badaniami naukowymi: tak

1	P. Gutowski; A. Kolek	Numerical optimization of gain region in dual-upper-state quantum cascade laser	2024
2	A. Kolek	Interband Tunneling in a Type-II Broken-Gap Superlattice	2023
3	A. Kolek; M. Makowiec	Quantum simulations of band-to-band tunnelling in a type-II broken-gap superlattice diode	2023
4	A. Kolek; M. Sobaszek	Nonlinear gain models in a quantum cascade laser	2023
5	G. Hałdaś; A. Kolek	Optimization of gain region in mid-IR ( ≈ 5 μm) QCL	2022
6	M. Bugajski; P. Gutowski; G. Hałdaś; A. Kolek; D. Pierścińska; G. Sobczak	Linewidth Broadening in Short-Wavelength Quantum Cascade Lasers	2022
7	M. Bugajski; T. Czyszanowski; M. Dems; M. Janczak; A. Kolek; W. Nakwaski; R. Sarzała	Threshold performance of pulse-operating quantum-cascade vertical-cavity surface-emitting lasers	2022
8	R. Budzich; T. Ciuk; Ł. Ciura; D. Czołak; A. Dobrowolski; J. Jagiełło; D. Kalita; A. Kolek; P. Michałowski; K. Piętak; M. Wzorek	Contamination-induced inhomogeneity of noise sources distribution in Al2O3-passivated quasi-free-standing graphene on 4H-SiC(0001)	2022
9	A. Kolek	Light-enhanced incoherence of electronic transport in quantum cascade lasers	2020
10	K. Cieśla; Ł. Ciura; A. Kolek; E. Machowska-Podsiadło; Z. Zawiślak	TRANSFER: Technologie materiałów i struktur dla detekcji długofalowego promieniowania podczerwonego (LWIR)	2020
11	Ł. Ciura; A. Jasik; A. Kolek; D. Smoczyński	Four-point probe resistivity noise measurements of GaSb layers	2020
12	Ł. Ciura; K. Hackiewicz; A. Kolek; P. Martyniuk; K. Michalczewski	1/f Noise in InAs/InAsSb Superlattice Photoconductors	2020
13	A. Kolek	Implementation of light–matter interaction in NEGF simulations of QCL	2019
14	M. Bugajski; A. Czerwiński; T. Czyszanowski; M. Dems; A. Kolek; M. Kuc; D. Pierścińska; K. Pierściński; M. Płuska; R. Sarzała; W. Strupiński; M. Wesołowski	Coupled-cavity AlInAs/InGaAs/InP quantum cascade lasers fabricated by focused ion beam processing	2019
15	M. Bugajski; G. Hałdaś; A. Kolek	Comparison of quantum cascade structures for detection of nitric oxide at ~ 5.2 μm	2019
16	Ł. Ciura; E. Gomółka; A. Kolek; M. Kopytko; P. Martyniuk; K. Murawski; A. Rogalski	Trap parameters in the infrared InAsSb absorber found by capacitance and noise measurements	2019
17	Ł. Ciura; K. Czuba; A. Jasik; A. Kolek; I. Sankowska	Low frequency noise of GaSb layers on GaAs substrate	2019
18	Ł. Ciura; K. Hackiewicz; A. Kolek; P. Martyniuk; P. Ptak; J. Rutkowski	Low frequency noise of mid-wavelength interband cascade photodetectors up to 300 K	2019